알루미늄 이온이 도핑되는 산화아연 발광체 및 이의 연속 제조 방법

출원번호 : 10-2016-0038182 (출원일: 2016-03-30)

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특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명의 알루미늄 이온이 도핑된 산화아연 발광체는 단결정 입자가 링 형상으로 응집된 2차입자를 포함하는 특이적인 구조를 가짐에 따라 우수한 발광 특성을 가지며, 입자의 조성 및 크기가 균일하고 높은 비표면적을 가지는 효과가 있다. 또한 제조 과정에서 미세기포에 의해 유동화 되어 열-수력학적 반응이 진행됨으로써, 발광체가 연속적으로 합성되어 생산량과 생산효율이 우수한 효과가 있다.

대표청구항 : 알루미늄 이온이 도핑된 산화아연 입자가 링 형상으로 응집된 2차입자를 포함하며,밴드 갭 에너지가 2.88 eV 이하이고, 하기 관계식 1 및 하기 관계식 2를 만족하는 발광 특성을 갖는 알루미늄 이온이 도핑된 산화아연 발광체.[관계식 1]1.5 ≤ PL(λ1)/PLr(λ1)(상기 관계식 1에서, PL(λ1)은 알루미늄 이온이 도핑된 산화아연 발광체의 발광 스펙트럼에서 390 ~ 410 nm 파장에 위치하는 발광 피크의 강도이며, PLr(λ1)은 알루미늄 이온이 도핑된 산화아연 입자들이 구형으로 응집된 응집 입자인 기준 발광체의 발광 스펙트럼에서 390 ~ 410 nm 파장에 위치하는 발광 피크의 강도이다.)[관계식 2]1.5 ≤ PL(λ2)/PLr(λ2)(상기 관계식 2에서, PL(λ2)는 알루미늄 이온이 도핑된 산화아연 발광체의 발광 스펙트럼에서 580 ~ 660 nm 파장에 위치하는 발광 피크의 강도이며, PLr(λ2)는 알루미늄 이온이 도핑된 산화아연 입자들이 구형으로 응집된 응집 입자인 기준 발광체의 발광 스펙트럼에서 580 ~ 660 nm 파장에 위치하는 발광 피크의 강도이다.)

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