유기반도체의 전하 주입과 추출 향상을 위한 비대칭 전극과 유기반도체층의 결합 구조와 그 유기전자소자 제조방법 COMBINATION STURCTURE BETWEEN AN ASYMMETRIC ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYER AND ELECTRODE FOR INJECTION AND EXTRACTION OF CHARGE OF ORGANIC SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

출원번호 : 10-2018-0119566 (2018년10월08일)

등록번호 : 10-2091427 (2020년03월16일)

특허권자 : 한밭대학교

요약 : 본 발명은 유기 반도체의 전하주입과 추출을 위한 비대칭 유기반도체층과 전극의 결합구조와 그 제조방법에 관한
것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기반도체의 전하 주입과 추출을 위한 비대칭 유기반도체층과 전극의 결합구조는,
글래스 기판;과, 상기 글래스 기판 상에 형성된 소스(source) 전극과 드레인(drain) 전극;과, 상기 소스 전극 상
에 형성된 2,3,4,5-pentafluorobenzene thiol (PFBT) 형태의 자기조립단분자막(Self-Assembled
Monolayer;SAMs);과, 상기 드레인 전극 상에 형성된 thiophenol(TP)형태의 자기조립단분자막(Self-Assembled
Monolayers;SAMs); 및 상기 소스 전극과 드레인 전극으로 산소(oxygen)과 수분(moisture)의 침투를 방지하기 위
한 DNTT(dinaphtho[2,3-b:2′,3′’-f]thieno[3,2-b]thiophene) 활성층(active layer)을 포함하는 것일 수 있다.