은이 포화된 Ｇｅ-Ｔｅ 박막으로 이루어진 고체 전해질을갖는 ＰＭＣＭ 소자 및 그의 제조 방법

출원번호 : 10-2006-0077912 (출원일: 2006-08-18)

등록번호 : 10-0798696 (등록일: 2008-01-22)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 비휘발성 메모리 소자인 프로그램 가능한 금속 셀 구조의 메모리(PMCM) 소자에 관한 것으로, 고체 전해질 층이 은이 포화된 Ge-Te 박막으로 이루어진 PMCM 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 상기 Ge-Te 박막은 또한 박막 내에 질소를 함유하는 것이 더욱 바람직하다. 질소가 함유되는 경우 상기 은이 포화된 Ge-Te 박막은 결정화 온도가 높아져 PMCM 소자에 응용함에 있어 더욱 바람직한 특성을 갖는다. 본 발명의 PMCM 소자는 고체 전해질로 독성이 낮고 안전한 Ge-Te 합금을 사용하면서도 결정화 온도가 높아 PMCM 소자의 응용에 널리 활용될 수 있다. 또한 본 발명의 PMCM 소자의 제조 공정에서 상부 전극인 Ag의 증착 시에 in-situ로 Ge-Te 박막 내에 Ag이 확산되어 PMCM 소자의 제조 공정을 보다 단순화할 수 있다.

대표청구항 : 비휘발성 메모리 소자인 프로그램 가능한 금속 셀 구조의 메모리(PMCM) 소자에 있어서, 고체 전해질 층이 은이 포화된 Ge-Te 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 PMCM 소자.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3508007001826