출원번호 : 10-2013-0044458 (출원일: 2013-04-22)
등록번호 : 10-1344230 (등록일: 2013-12-17)
특허권자 : 충남대학교산학협력단
요약 : 본 발명은 태양전지 제조 방법에 있어서, N형 실리콘 기판을 제공하는 단계 및 상기 N형 실리콘 기판의 상부에 산화아연층을 증착하고 이 후 열공정을 진행하는 진행하면서 상기 N형 실리콘 기판에 존재하는 5족 도펀트가 상기 산화아연층에 주입되는 원위치(in-situ) P형 도핑 방법에 의해 P형 산화아연층을 제조하는 단계를 포함하고, 상기 N형 실리콘 기판과 상기 P형 산화아연층 사이에 PN 접합이 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 태양전지 제조 방법에 관한 것이다.
대표청구항 : 태양전지 제조 방법에 있어서,N형 실리콘 기판을 준비하는 단계 및상기 N형 실리콘 기판의 양면에 산화아연층을 증착하는 공정 중 상기 N형 실리콘 기판에 존재하는 5족 도펀트가 상기 산화아연층에 주입되는 원위치(in-situ) P형 도핑 방법에 의해 P형 산화아연층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 N형 실리콘 기판과 상기 P형 산화아연층 사이에 정공 터널링이 가능한 PN 접합이 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 태양전지 제조 방법.
상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3513522000995





