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출원번호 : 1020150076292 (2015.05.29)
등록번호 : 1016654500000 (2016.10.06)
특허권자 : 울산과학기술원
요약 :
본 발명은 하기 화학식 1로 표현되는 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 발광소자 및 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 발광장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 독성이 없으면서도 발광 특성이 우수하고, 콜로이드 분산액 형태로 사용이 가능한 양자점을 발광층에 포함시켜 제조된, 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 발광소자 및 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 발광장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 양자점 발광소자에 포함되는 인듐갈륨계 질화물의 양자점은 독성이 없으면서도 높은 안정성 및 우수한 발광효율을 갖는바, 상기 양자점을 포함하는 본 발명의 양자점 발광소자는 각종 환경 규제를 통과할 수 있고, 우수한 발광효율로 다양한 색상의 구현이 가능하며, 또한, 분산성이 매우 우수해 콜로이드 분산액 형태로 이용이 가능하여, 종래의 고온 증착 공정 없이도 잉크 공정에 의해 기판 상에 형성될 수 있고, 이에 따라 내열성이 낮은 유연 기판 상에도 적용될 수 있는바, 비교적 간단한 공정으로 유연성을 갖는 발광장치를 제조할 수 있다.
[화학식 1]
InxGa1–xN
(상기 화학식 1에서, x는 0≤x≤1의 범위를 갖는다.)
1020150025840
