저소화성 유지 조성물 및 아실 마이그레이션 반응을 사용한 이의 제조방법

출원번호 : 10-2018-0164009 (출원일: 2018-12-18)

등록번호 : 10-2172409 (등록일: 2020-10-26)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 저소화성 유지 조성물 및 아실 마이그레이션 반응을 사용한 이의 제조방법에 관한 것으로, 상기 제조방법으로 제조된 저소화성 유지 조성물은 여러가지 TAG를 특정한 조성으로 함유함으로써, 미정제 및 정제 상태 모두 소장 조건에서 가수분해율이 시어버터 또는 시어버터로부터 추출한 시어버터 액상유보다 낮으며, 총 포화 지방산의 함량 또한 시어버터보다 현저하게 낮으므로, 본 발명에 따른 저소화성 유지 조성물의 제조방법은 저소화성 유지 조성물의 제조에 유용하게 사용할 수 있고, 저소화성 유지 조성물은 종래의 유지를 대체하여 저칼로리 기능유지로 유용하게 사용될 수 있다.

대표청구항 : sn-1 위치는 포화 지방산이고, sn-2, sn-3 위치는 불포화 지방산인 TAG(SUU)를 포함하는 유지를 Lipase 존재하에 아실 마이그레이션 반응시키는 단계(단계 1); 및상기 아실 마이그레이션 반응시켜 제조된 저소화성 유지 조성물을 정제하는 단계(단계 2); 를 포함하는 저소화성 유지 조성물의 제조방법이되,상기 제조방법에 의하여 제조되는 저소화성 유지 조성물은 소장에서의 가수분해율이 50% 이하이고,저소화성 유지 조성물 100 중량에 대하여, sn-1, sn-2, sn-3 위치 모두 포화 지방산인 TAG(SSS)를 2-8 중량%; sn-1, sn-3 위치는 포화 지방산이고, sn-2 위치는 불포화 지방산인 TAG(SUS)를 4-9 중량%; sn-1, sn-2 위치는 포화 지방산이고, sn-3 위치는 불포화 지방산인 TAG(SSU)를 2-6 중량%; sn-1 위치는 포화 지방산이고, sn-2, sn-3 위치는 불포화 지방산인 TAG(SUU)를 30-40 중량%; sn-2 위치는 포화 지방산이고, sn-1, sn-3 위치는 불포화 지방산인 TAG(USU)를 0.2-6 중량%; 및, sn-1, sn-2, sn-3 위치 모두 불포화 지방산인 TAG(UUU)를 5-25 중량%;를 포함하는 것을 특징으로 하는,저소화성 유지 조성물의 제조방법.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3520452000836