전하이동 착물의 형성효율을 분광법으로 결정하는 방법 METHOD OF DETERMINING A CHARGE TRANSFER COMPLEX FORMATION EFFICIENCY BY UV-VISIBLE SPECTROSCOPY

출원번호 : 10-2018-0172302 (2018년12월28일)

등록번호 : 10-2121187 (2020년06월04일)

특허권자 : 한밭대학교

요약 : 본 발명은 유기 전자소자에 사용되는 유기반도체에서 전하이동 착물의 형성효율을 광학적으로 효율적인 결정하는
방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전자소자에 사용되는 유기반도체에서 전하이동착물의 형성 효율을 광학적으로
결정하는 방법은, 제1물질층에 제2물질층이 적층된 이중층으로부터 최대 전하이동 착물의 형성효율을 분광법을
통해 산출하는 것일 수 있다.