출원번호 : 10-2019-0010510 (2019년01월28일)
등록번호 : 10-2175243 (2020년11월02일)
특허권자 : 한밭대학교
요약 : 본 발명은 유기 전자소자에 사용되는 유기반도체에서 전하이동 착물의 형성효율을 전기전도도로부터 산출하여 효
율적인 전하이동 착물을 결정하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전자소자에 사용되는 유
기반도체에서 전하이동착물의 형성 효율을 광학적으로 결정하는 방법은, 제1 물질층에 제2 물질층이 적층된 이중
층으로부터 최대 전하이동 착물의 형성효율을 전기전도도로부터 산출하는 것일 수 있다.





