탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법

출원번호 : 10-2016-0096062 (출원일: 2016-07-28)

등록번호 : 10-1755030 (등록일: 2017-06-30)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 탄소 기판의 상면에서 하면으로 관통하는 복수 개의 제 1 비아홀을 형성하는 제 1 비아홀 형성 단계와, 탄소 기판의 상면과 제 1 비아홀의 내주면에 배리어막을 형성하는 배리어막 형성 단계와, 배리어막의 상면과 제 1 비아홀에 제 1 도전형 실리콘층을 형성하는 제 1 도전형 실리콘층 형성 단계와, 탄소 기판의 하면에서 상기 탄소 기판과 배리어막 및 제 1 도전형 실리콘층의 상면으로 관통하는 복수 개의 제 2 비아홀을 형성하는 제 2 비아홀 형성 단계와, 제 1 도전형 실리콘층의 상면과 제 2 비아홀에 제 2 도전형 실리콘층을 형성하는 제 2 도전형 실리콘층 형성 단계와, 상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면에 반사 방지막을 형성하는 반사 방지막 형성 단계와, 상기 탄소 기판의 하면에서 상기 제 1 비아홀을 통하여 노출되는 제 1 도전형 실리콘층과 전기적으로 연결하는 제 1 전극을 형성하는 제 1 전극 형성 단계 및 상기 탄소 기판의 하면에서 상기 제 2 비아홀을 통하여 노출되는 제 2 도전형 실리콘층과 전기적으로 연결하는 제 2 전극을 형성하는 제 2 전극 형성 단계를 포함하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법을 개시한다.

대표청구항 : 탄소 기판의 상면에서 하면으로 관통하는 복수 개의 제 1 비아홀을 형성하는 제 1 비아홀 형성 단계;상기 탄소 기판의 상면과 상기 제 1 비아홀의 내주면에 배리어막을 형성하는 배리어막 형성 단계;상기 배리어막의 상면과 상기 제 1 비아홀에 제 1 도전형 실리콘층을 형성하는 제 1 도전형 실리콘층 형성 단계; 상기 탄소 기판의 하면에서 상기 탄소 기판과 배리어막 및 제 1 도전형 실리콘층의 상면으로 관통하는 복수 개의 제 2 비아홀을 형성하는 제 2 비아홀 형성 단계;상기 제 1 도전형 실리콘층의 상면과 제 2 비아홀에 제 2 도전형 실리콘층을 형성하는 제 2 도전형 실리콘층 형성 단계;상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면에 반사 방지막을 형성하는 반사 방지막 형성 단계;상기 탄소 기판의 하면에서 상기 제 1 비아홀을 통하여 노출되는 제 1 도전형 실리콘층과 전기적으로 연결하는 제 1 전극을 형성하는 제 1 전극 형성 단계 및상기 탄소 기판의 하면에서 상기 제 2 비아홀을 통하여 노출되는 제 2 도전형 실리콘층과 전기적으로 연결하는 제 2 전극을 형성하는 제 2 전극 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3517282001542