출원번호 : 10-2018-0121424 (2018.10.11)
등록번호 : 10-21646800000 (2020.10.05)
특허권자 : 한남대학교산학협력단
요약 : 보다 상세하게는 기재의 표면에 저분자량 폴리디메틸실록산 층을 형성한 후, 광산화 처리하여 친수성 폴리디메틸실록산 층을 형성함으로써 ITO 박막의 코팅성, 증착효율 및 전기전도도를 향상시킬 수 있는 PDMS(Polydimethylsiloxane; 폴리디메틸실록산) 코팅 기재를 이용한 ITO(Indium tin oxide: 인듐 주석 산화물) 박막의 증착방법에 관한 것이다.
1020180121424