트랜지스터의 특성 테스트를 위한 반도체 장치 및 테스트 방법

출원번호 : 10-2018-0006979 (출원일: 2018-01-19)

등록번호 : 10-1995331 (등록일: 2019-06-26)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 트랜지스터의 특성을 평가할 수 있는 반도체 장치가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는, 기판; 상기 기판에 정의된 액티브 영역; 상기 액티브 영역에 형성된 절연된 게이트; 상기 게이트의 제1양측에 있는 액티브 영역에 형성된 제1소스층 및 제1드레인층; 및 상기 게이트의 제2양측에 있는 액티브 영역에 형성된 제2소스층 및 제2드레인층을 포함할 수 있다. 상기 제1소스층, 상기 제1드레인층 및 상기 제2드레인층은 제1도전형으로, 상기 제2소스층은 제2도전형으로 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에 의하면, 반도체 장치의 계면 내에 다양한 결함이 발생한 환경을 다양한 전기적 스트레스를 통하여 구성할 수 있고, 그를 이용하여 터널링 전계효과 트랜지스터의 특성을 분석하여 신뢰성 평가에 관한 연구에 기여할 수 있다.

대표청구항 : 제1 방식으로 구동되는 제1 트랜지스터; 및상기 제1 방식과 다른 제2 방식으로 구동되는 제2 트랜지스터;를 포함하고,상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터는 동일한 채널층을 공유하도록 구성되며,상기 제1 트랜지스터는 모스 전계효과 트랜지스터이며, 상기 제2 트랜지스터는 터널링 전계효과 트랜지스터인 반도체 장치.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3519274000798