아날로그 멤리스터 및 멤캐패시터 특성을 갖는 전자소자와 그 제조방법 ELECTRIC DEVICE HAVING ANALOG MEMRISTIVE AND MEMCAPACITIVE CHARACTERISTICS AND MANUFACTURING METHOD OF THE DEVICE

출원번호 : 10-2016-0002969 (2016년01월11일)

등록번호 : 10-1803740 (2017년11월27일)

특허권자 : 명지대학교 산학협력단

요약 : 본 발명은 새로운 개념의 전자소자에 관한 것으로, n형 또는 p형 반도체 물질로 구성된 제1층; 상기 제1층과 p-n 접합다이오드를 구성하는 동시에 전하를 저장하는 전하저장 기능을 함께 수행하는 제2층; 및 p-n접합을 구성한 상기 제1층과 상기 제2층에 각각 연결된 제1전극과 제2전극을 포함한다.
본 발명은, p-n 접합을 형성한 다이오드 구조를 기반으로 전하 저장특성을 추가함으로써, 아날로그적으로 전기 저항 및 전기 용량이 동시에 변하는 새로운 형태의 전자소자를 제공할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 전자소자는 전기 저항과 전기 용량의 변화를 동시에 기억하는 비휘발성 특성을 나타내어, 멤리스터와 멤캐패시터로서 사용할 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 전자소자는 아날로그적인 전기 저항 변화와 전기 용량 변화를 동시에 가지기 때문에, 멤리스터 소자 또는 멤캐패시터 소자로서 메모리 소자와 논리 소자 및 신경모사 소자에 적용될 수 있으며, 종래의 소자보다 더욱 뛰어난 성능의 메모리 소자와 논리 소자 및 신경모사 소자를 구성할 수 있는 뛰어난 효과가 있다.

 

1020160002969