출원번호 : 10-2017-0024599 (출원일: 2017-02-24)
등록번호 : 10-1928048 (등록일: 2018-12-05)
특허권자 : 충남대학교산학협력단
요약 : 본 발명은 다공성 기재의 표면에, 친수성 단일중합체의 적층과 양친매성 블록 또는 그래프트 공중합체의 적층을 교대로 반복하여 친수성 단일중합체와 양친매성 블록 또는 그래프트 공중합체의 교대 적층체를 형성하는 단계; 상기 친수성 단일중합체와 양친매성 블록 또는 그래프트 공중합체의 교대 적층체의 표면에, 친수성 단일중합체의 적층과 초분자 구조 화합물의 적층을 교대로 반복하여 친수성 단일중합체와 초분자 구조 화합물의 교대 적층체가 형성된 고분자 다층막을 제공하는 단계; 및 상기 고분자 다층막을 어닐링하여 미세 상분리된 고분자막을 형성하는 단계를 포함하는, 나노기공 멤브레인의 제조 방법 및 이로부터 제조된 나노기공 멤브레인을 제공한다.
대표청구항 : 다공성 기재의 표면에, 친수성 단일중합체의 적층과 그래프트 공중합체의 적층을 교대로 반복하여 친수성 단일중합체와 그래프트 공중합체의 교대 적층체를 형성하는 단계;상기 친수성 단일중합체와 그래프트 공중합체의 교대 적층체의 표면에, 친수성 단일중합체의 적층과 초분자 구조 화합물의 적층을 교대로 반복하여 친수성 단일중합체와 초분자 구조 화합물의 교대 적층체가 형성된 고분자 다층막을 제공하는 단계; 및상기 고분자 다층막을 어닐링하여 미세 상분리된 고분자막을 형성하는 단계를 포함하는, 나노기공 멤브레인의 제조 방법.
상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3518504000366





