출원번호 : 10-2016-0035511 (2016.03.24)
등록번호 : 10-17592410000 (2017.07.12)
요약 : 일측 하부가 상기 수직형 제2 게이트에 인접하고, 타측은 상기 플래너형 제1 게이트(21)를 둘러싸도록 형성되는 에미터 전극부; 상기 N- 드리프트층 영역 내 상단부의 일부분에 형성되되, 상기 수직형 제2 게이트에 인접하여 형성된 된 제1P-base 영역; 일측부가 상기 제1 P-base 영역의 경계면에 접하여 형성되고, 타측부가 상기 플래너형 제1 게이트의 하부와 인접하여 형성된 제2 PP-base 영역; 상기 제1 P-base 영역 및 제2 PP-base 영역의 경계부의 상단에 형성되는 P+영역; 일측이 상기 수직형 제2 게이트에 인접하고 상부 측이 상기 에미터 전극부의 하측과 접촉되도록 형성되는 제1 N+부; 및 상기 플래너형 제1 게이트의 하부와 상측 일부분이 인접하고, 나머지 상측 부분이 상기 에미터 전극의 하부와 접촉되도록 형성되는 제2 N+부; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 게이트 구조를 가진 전력 IGBT가 제공된다.