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듀얼 게이트 구조를 가진 전력 IGBT 및 그 제조방법 (Power IGBT with dual gate and manufacturing method thereof)

8,000,000

판매 대리인 : 기율특허

전화번호 : 02-782-1004

메일주소 : kiyul@kiyul.co.kr

가격 : 800만원

본 발명의 일측면에 따르면, P+형 기판; 상기 P+형 기판 상부에 형성된 N -드리프트층 영역; 상기 P+형 기판 하부에 형성된 콜랙터 전극; 상기 N- 드리프트층 영역 내의 일측 상단부에 제1 절연막으로 둘러싸여 트렌치 구조로 형성된 수직형 제2 게이트; 상기 N- 드리프트층 영역의 상부에 상기 수직형 제2 게이트와 수평 이격 간격을 가지며, 제2 절연막으로 둘러싸여 플래너 구조로 형성된 플래너형 제1 게이트; 상기 N-드리프트층 영역의 상부 측에 형성된다.

SKU: 극동대학교 산학협력단 카테고리: , , , ,

출원번호 : 10-2016-0035511 (2016.03.24)

등록번호 : 10-17592410000 (2017.07.12)

요약 : 일측 하부가 상기 수직형 제2 게이트에 인접하고, 타측은 상기 플래너형 제1 게이트(21)를 둘러싸도록 형성되는 에미터 전극부; 상기 N- 드리프트층 영역 내 상단부의 일부분에 형성되되, 상기 수직형 제2 게이트에 인접하여 형성된 된 제1P-base 영역; 일측부가 상기 제1 P-base 영역의 경계면에 접하여 형성되고, 타측부가 상기 플래너형 제1 게이트의 하부와 인접하여 형성된 제2 PP-base 영역; 상기 제1 P-base 영역 및 제2 PP-base 영역의 경계부의 상단에 형성되는 P+영역; 일측이 상기 수직형 제2 게이트에 인접하고 상부 측이 상기 에미터 전극부의 하측과 접촉되도록 형성되는 제1 N+부; 및 상기 플래너형 제1 게이트의 하부와 상측 일부분이 인접하고, 나머지 상측 부분이 상기 에미터 전극의 하부와 접촉되도록 형성되는 제2 N+부; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 게이트 구조를 가진 전력 IGBT가 제공된다.

1020160035511