산화질화갈륨 박막의 제조방법

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특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 산화갈륨와 동일한 결정구조를 가지며 산화갈륨의 넓은 밴드갭을 유지하면서도 산화갈륨에 비해 표면거칠기를 저감시키고, 밴드갭을 미세하게 조절할 수 있는 산화질화갈륨 박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 갈륨과 함께 산소와 질소의 혼합 플라즈마 가스를 공급하여 분자선 에피텍시(MBE, Molecular Beam Epitaxy) 방법에 의해 기판 상에 박막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 산화질화갈륨 단결정 박막의 제조방법에 관한 것이다.

대표청구항 : 갈륨과 함께 산소와 질소의 혼합 플라즈마 가스를 공급하여 분자선 에피텍시(MBE, Molecular Beam Epitaxy) 방법에 의해 기판 상에 박막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 산화질화갈륨 단결정 박막의 제조방법.

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