터널 산화막을 포함하는 태양 전지 및 이의 제조 방법

출원번호 : 10-2018-0059120 (출원일: 2018-05-24)

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특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명의 터널 산화막을 포함하는 태양 전지의 제조 방법은, 제1 도전상 타입의 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 상기 실리콘 기판의 상면에 제2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 단계와, 상기 실리콘 기판의 하면에 터널링 산화층을 형성하는 단계와, 상기 터널링 산화층을 어닐링하고, 오존 후처리 공정을 수행하여 터널 산화막을 형성하는 단계와, 상기 터널 산화막의 하면에 도핑 다결정 실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 도핑 다결정 실리콘층의 하면에 제1 전극을 형성하는 단계와, 상기 에미터층과 전기적으로 접속되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.

대표청구항 : 제1 도전상 타입의 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 실리콘 기판의 상면에 제2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 단계;상기 실리콘 기판의 하면을 산화시켜 터널링 산화층을 형성하는 단계;상기 터널링 산화층을 어닐링하고, 오존 후처리 공정을 수행하여 터널 산화막을 형성하는 단계;상기 터널 산화막의 하면에 도핑 다결정 실리콘층을 형성하는 단계;상기 도핑 다결정 실리콘층의 하면에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 에미터층과 전기적으로 접속되는 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 터널링 산화층을 형성하는 단계에서,질산을 이용하여 상기 터널링 산화층을 1nm 내지 2nm 두께로 형성하고,1~25wt%의 오존 농도와 300℃ 내지 600℃ 온도에서 상기 터널링 산화층에 상기 오존 후처리 공정을 수행하여 상기 실리콘 기판과 상기 터널 산화막의 계면의 SiOx의 조성이 실리콘(Si)보다 실리콘 산화층(SiO2)에 더 가깝도록 형성되어 상기 터널 산화막의 결함을 감소시키는,터널 산화막을 포함하는 태양 전지의 제조 방법.

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