금속 산화물 나노로드 구조를 포함하는 반도체 센서 및 이의 제조방법

출원번호 : 10-2017-0044257 (출원일: 2017-04-05)

등록번호 : 10-1924541 (등록일: 2018-11-27)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 금속 산화물 나노로드 구조를 포함하는 반도체 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이며, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 센서는 기판, 기판 아래에 형성되어 있는 제1 전극, 기판 위에 형성되어 있는 절연층, 절연층 위에 형성되어 있는 금속 산화물층, 금속 산화물층 위의 제1 영역에 접촉되도록 형성되어 있는 제2 전극, 금속 산화물층 위의 제2 영역에 접촉되도록 형성되어 있는 제3 전극, 그리고 금속 산화물층 위의 제1 영역과 제2 영역 사이에 위치하는 제3 영역에 접촉되도록 형성되어 있으며, 복수개의 금속 산화물 나노로드를 포함하는 나노로드층을 포함한다.

대표청구항 : 기판,상기 기판 아래에 형성되어 있는 제1 전극,상기 기판 위에 형성되어 있는 절연층,상기 절연층 위에 형성되어 있는 금속 산화물층,상기 금속 산화물층 위의 제1 영역에 접촉되도록 형성되어 있는 제2 전극,상기 금속 산화물층 위의 제2 영역에 접촉되도록 형성되어 있는 제3 전극, 그리고상기 금속 산화물층 위의 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 위치하는 제3 영역에 접촉되도록 형성되어 있으며, 복수개의 금속 산화물 나노로드를 포함하는 나노로드층을 포함하며,상기 나노로드는 상기 제2 전극 및 제3 전극에 직접 접촉되지 않으며, 상기 금속 산화물층과 동일한 물질로 형성되는 것이 특징인 반도체 센서.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3518492000650