나노 와이어 기반 이종 터널 전계효과 트랜지스터(Hetero tunnel field effect transistor based on nanowire)

출원번호 : 10-2019-011867 (2019년01월30일)

등록번호 : 10-2158187 (2020년09월15일)

특허권자 : 한경대학교 산학협력단

요약 :

본 발명은 나노 와이어 기반 이종 터널 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로서, 더욱 상세히는 기존의 TFET에 비해서 온도, 양자효과와 트랩의 효과를 최소화하고 기존 TFET에 비해 문턱 전압 기울기를 크게 상승시켜 동작 성능이 크게 개선된 나노 와이어 기반 이종 터널 전계효과 트랜지스터에 관한 것이다.

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