무기고분자형 네가티브 포토레지스트 조성물

출원번호 : 10-2008-0091452 (출원일: 2008-09-18)

등록번호 : 10-0982185 (등록일: 2010-09-08)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 발명은 광 가교형 무기고분자형 네가티브 포토레지스트 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스 조성물을 개발하고 이를 이용하여 최대 1cm, 최소 10nm 크기의 무기고분자 패턴과 구조물을 대량 제조할 수 있는 공정을 제공하는 것이다. 또한 연이은 열처리 공정에 의해 세라믹 조성의 패턴과 구조물을 제조할 수 있는 공정도 개발한다. 이로서 추후 미세 기계전자 소자 및 각종 미세 유체소자 장치에 활용될 수 있는 부품 제조에 활용할 수 있는 중합체, 조성물 및 그를 이용한 무기고분자 패턴을 제조할 수 있는 공정을 제공하는 것이다.

대표청구항 : 하기 화학식 1로 표시되는 중합 반복 단위(repeating unit)를 포함하는 중합체와 하기 화학식 2의 디아크릴(diacryl) 화합물과 반응에 의해 생성되는 광중합성 네가티브 포토레지스트 개질 중합체. [화학식 1] -(Si(Ra)2-NH)n- 또는 -(Si(NHRd)(Rb)-O)m-(Si(Rc)2-O)k- (상기 식에서 Ra, Rb 및 Rc는 독립적으로 H, ORd, NHRd, 비닐(vinyl) 또는 C1~C10의 직쇄형 또는 분기형 저급알킬기에서 선택되며, Rd는 H 또는 C1~C10의 직쇄형 또는 분기형 저급알킬기이고, n, m 및 k는 서로 독립적으로 1 내지 200의 정수이며, 상기 화학식의 반복 단위로 이루어진 고분자 중합체는 사슬 말단에 1차 아민기를 가지는 무기고분자도 포함한다.) [화학식 2] [이미지] (상기 식에서, R은 수소 또는 C1 내지 C3의 포화탄화수소이며, R’은 C1 내지 C20의 포화탄화수소 또는 C2 내지 C20의 불포화탄화수소이며, 상기 R’의 포화탄화수소의 탄소원자는 하나 이상의 산소로 더 치환될 수 있으며, Y는 하이드록시(OH), 이소시아네이트(CNO), 비닐(vinyl), 또는 할로겐(halogen) 이다.)

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3510082000612