출원번호 : 10-2012-0014561 (2012.02.14)
등록번호 : 10-13196130000 (2013.10.11)
특허권자 : 남서울대학교 산학협력단
요약 : 본 발명은 (가)기판상에 탄소나노튜브를 성장시키기 위한 촉매 도트를 형성하는 단계, (나)상기 촉매 도트가 형성된 영역을 포함하는 다수의 나노 채널을 포함하는 희생층을 형성하는 단계 및 (다)상기 나노 채널을 통해 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 수평성장방법 및 이를 이용하여 형성된 수평배선에 관한 것이다.
1020120014561
