태양 전지 제조 방법

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등록번호 : 10-1507767 (등록일: 2015-03-26)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 제1 도전성 타입의 기판을 준비하는 기판 준비 단계와, 상기 기판의 전면(front surface)에 위치하는 제2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 에미터층 형성 단계와, 상기 기판의 후면에 Al2O3막인 패시베이션막을 형성하는 패시베이션막 형성 단계와, 상기 패시베이션막의 후면에 질소 플라즈마 처리를 하는 질소 플라즈마 처리 단계와, 상기 패시베이션막의 후면에 배리어막을 형성하는 배리어막 형성 단계와, 상기 패시베이션막과 상기 배리어막의 일부를 제거하여 상기 기판 후면의 컨택 영역을 노출시키는 컨택 영역 형성 단계 및 상기 배리어막의 후면에 형성되며 상기 기판의 후면과 전기적으로 연결되는 후면 전극을 형성하는 후면 전극 형성 단계를 포함하는 태양 전지 제조 방법에 관한 것이다.

대표청구항 : 제1 도전성 타입의 기판을 준비하는 기판 준비 단계와,상기 기판의 전면(front surface)에 위치하는 제2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 에미터층 형성 단계와,상기 기판의 후면에 Al2O3막인 패시베이션막을 형성하는 패시베이션막 형성 단계와,상기 패시베이션막의 후면에 질소 플라즈마 처리를 하는 질소 플라즈마 처리 단계와, 상기 패시베이션막의 후면에 배리어막을 형성하는 배리어막 형성 단계와,상기 패시베이션막과 상기 배리어막의 일부를 제거하여 상기 기판 후면의 컨택 영역을 노출시키는 컨택 영역 형성 단계 및 상기 배리어막의 후면에 형성되며 상기 기판의 후면과 전기적으로 연결되는 후면 전극을 형성하는 후면 전극 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법.

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