출원번호 : 10-2015-0124889 (2015년09월03일)
등록번호 : 10-1684798 (2016년12월02일)
특허권자 : 명지대학교 산학협력단
요약 : 터널링 트랜지스터 및 이의 제조 방법이 개시된다. 터널링 트랜지스터는, 소정의 깊이를 가지는 리세스(recess) 채널을 포함하는 기판; 상기 리세스 채널 이면에 절연막이 개재되어 형성되는 게이트; 및 상기 리세스 채널 표면에 고농도 도펀트를 도핑하여 형성되는 소스와 드레인을 포함하되, 상기 리세스 채널의 제1 측면을 절곡하여 제2 측면과 상이한 비대칭 구조로 형성될 수 있다.
1020150124889
