전해제련 공정의 액체금속 음극용 도가니 및 이를 이용한 전해 제련 방법

출원번호 : 10-2018-0012124

출원번호 : 10-2016-0132579 (출원일: 2016-10-13)

등록번호 : 10-1761621 (등록일: 2017-07-20)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 사용후핵연료의 파이로공정 중, 액체금속 음극을 담지하거나 액체금속 음극을 이송하는 파이로 공정의 액체금속 음극용 도가니에 관한 것으로, 본 발명에 따른 액체금속 음극용 도가니는, 적어도, 액체금속 음극과 접촉하는 내측 표면이 산화스칸듐 표면인 특징이 있다.

대표청구항 : 비스무스를 함유하는 액체금속 음극을 담지하는 도가니이며, 산화스칸듐으로 이루어지고, 소결 밀도가 산화스칸듐 이론 밀도의 95%이상이며, 열린 기공률이 3%이하인 파이로공정의 액체금속 음극용 도가니.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3517304000993