그래핀 기반의 P-type FET 제조방법 및 이를 이용한 P-type FET Manufacturing methode of Field Effect Transistor based on B-dopped graphine layer and P-type Field Effect Transistor using the same

출원번호 : 1020210043885 (2021.04.05)

등록번호 : 1024635610000 (2022.11.01)

특허권자 : 충남대학교 산학협력단

요약 :

본 발명은 a) 무산소 분위기에서 게이트 절연층 위에 티타늄(Ti)층을 증착하는 단계 b) 무산소 분위기를 유지하면서 in-situ로 상기 티타늄(Ti)층 위에 그래핀층을 성장시키는 단계 c) 플라즈마 처리를 통해 상기 그래핀층에 결함(defect)을 형성하는 단계 및 d) 상기 결함이 형성된 그래핀층을 보론을 도핑하는 단계;를 포함하여 채널로 사용되는 활성층을 형성하되, 상기 a) 내지 c) 단계는 화학기상증착(CVD)장치 내에서 수행되며, 상기 d) 단계는 스퍼터 장치 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반의 P-type FET 제조방법에 관한 것이다.

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