인듐 전구체 및 주석 전구체를 사용한 유연기판 위 인듐-주석 산화물의 코팅방법 (A method for coating Indium Tin Oxide(ITO) on flexible substrate using indium precursor and tin precursor)

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판매특허요약 : 본 발명은 인듐 전구체 및 주석 전구체를 사용한 유연기판 위 인듐-주석 산화물의 코팅방법에 관한 것이다.

가격 : 500만원 (VAT불포함)

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출원번호 : 10-2020-0143814 (2020.10.30)

등록번호 : 10-25081190000 (2023.03.06)

특허권자 : 한남대학교산학협력단

요약 : 보다 상세하게는 폴리이미드 필름 등의 유연기재 표면에 인듐-주석 수용액을 도포하여 ITO 박막을 형성함으로써, 제조방법이 간단하고 친환경적인 동시에 ITO 박막의 코팅성, 증착효율 및 전기전도도를 향상시킬 수 있는 ITO(Indium tin oxide: 인듐 주석 산화물) 박막의 제조방법에 관한 것이다.

특히, 수용액 자체의 높은 표면장력으로 인한 코팅성 저하 문제를 해결하기 위해, 기판 표면을 광산화 처리를 선행하고, 수용액의 낮은 점도와 해당 전구체의 수용액에 대한 낮은 용해도에 의한 얇은 박막 두께의 한계점을 다층 코팅을 통해 개선하는 방법을 포함하고 있다.

또한 특정 인듐 함유 화합물과 주석 함유 화합물을 사용함으로써, 박막 제조 시 형성되는 음이온의 제거효율을 높여 제조된 박막의 코팅성 및 전기전도도를 향상시킬 수 있다.

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