동작 성능이 개선된 L형 터널 전계 효과 트랜지스터(L-type tunnel field-effect transistor with improved operating performance)

출원번호 : 10-2019-0005092 (2019년01월15일)

등록번호 : 10-2093894 (2020년03월20일)

특허권자 : 한경대학교 산학협력단

요약 :

본 발명은 동작 성능이 개선된 L형 터널 전계 효과 트랜지스터에 관한 것으로서, 더욱 상세히는 L형 터널 전계 효과 트랜지스터를 구성하는 게이트부를 복수의 서로 다른 게이트로 분할하고, 복수의 게이트 상호 간 일함수를 상이하도록 구성하여 문턱 전압 이하에서 소스부와 드레인부 사이에 전류가 신속하게 흐르도록 지원함으로써 ON 및 OFF에 대한 동작 성능이 개선된 L형 터널 전계 효과 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명은 기존 LTFET의 소스 영역의 모서리에서 발생하는 코너 효과로 인해 문턱 전압 이하에서 소스의 하부에 위치하는 오프셋 영역에 전계가 집중되어 소스와 게이트 사이에 위치하는 채널의 전류 흐름이 미약하여 문턱 전압 이하에서 ON 및 OFF 사이의 스위칭 동작이 신속히 이루어지지 못하는 문제를 개선하여, 복수의 서로 다른 일함수를 가진 게이트로 구성되는 LTFET를 제공하여 문턱 전압 이하에서 소스와 게이트 사이에 위치하는 오프셋 영역의 채널에서 표면 전위가 우선 형성되도록 LTFET를 동작시킬 수 있으며, 이를 통해 문턱 전압 이하 기울기를 크게 상승시켜 LTFET의 ON 및 OFF 사이의 스위칭 동작이 신속하게 이루어지도록 지원함으로써 동작 성능이 크게 개선된 LTFET를 제공하는 효과가 있다.

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